化学气相沉积的阶段？ 化学气相沉积基本反应？

一、化学气相沉积的阶段？

化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。

二、化学气相沉积基本反应？

cvd1.硅烷分解成硅和氢气 硅沉积

2.还原：四氯化硅和氢气成硅和氯化氢3.氧化：硅烷加氧气成二氧化硅沉积和氢气4.等等.

三、化学气相沉积的特点？

化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。 物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的绕射性好

四、化学气相沉积适合什么反应？

化学气相沉积（英语：chemical vapor deposition，简称CVD）是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。

典型的CVD工艺是将晶圆（基底）暴露在一种或多种不同的前趋物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。

反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔（reaction chamber）中。

五、光分解属于化学气相沉积吗？

光分解属于化学气相沉积，(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。

沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。

六、cvd化学气相沉积用哪些气体？

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程

化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。

七、有没有化学气相沉积的书？

《化学气相沉积：从烃类气体到固体碳》是一本于2008年4月14日科学出版社出版的图书。本书主要讲述了从烃类气体到固体碳化学反应工程原理，不同沉积实验条件下生成的固体碳的微观结构同时也涉及到基元化学反应和沉积动力学最终影响材料性能的方式和机理。

八、物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别？

物理气相沉积法与化学气相沉积法有3点不同，相关介绍具体如下：

一、两者的特点不同：

1、物理气相沉积法的特点：物理气相沉积法的沉积粒子能量可调节，反应活性高。通过等离子体或离子束介人，可以获得所需的沉积粒子能量进行镀膜，提高膜层质量。通过等离子体的非平衡过程提高反应活性。

2、化学气相沉积法的特点：能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

二、两者的实质不同：

1、物理气相沉积法的实质：用物理的方法（如蒸发、溅射等）使镀膜材料汽化，在基体表面沉积成膜的方法。

2、化学气相沉积法的实质：利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。

三、两者的应用不同：

1、物理气相沉积法的应用：物理气相沉积技术已广泛用于各行各业，许多技术已实现工业化生产。

2、化学气相沉积法的应用：化学气相沉积法的镀膜产品涉及到许多实用领域。

九、化学气相沉积需要用到的气体？

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。

这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

十、化学气相沉积生长二硫化钼过程？

化学气相沉积生长单层二硫化钼的方法：

一种化学气相沉积生长单层二硫化钼的方法，该方法包括生长衬底实施植入种子的预处理，前驱体预处理，准备生长、生长、得到单层二硫化钼单晶以及连续的二硫化钼单层膜等步骤。该方法制备单层二硫化钼具有样品质量高、面积大以及重复性好等特点。