半导体废气处理系统有哪些类型(半导体废气处理系统有哪些类型的)

一、废气处理系统安全设施有哪些？

可燃气、毒气报警系统，自动灭火系统，毒气泄露防护处理系统，停电、停水，紧急停车处理预案措施等

二、废气排放口类型有哪些？

废气排放通过废气排放口排放，属于“有组织排放”。对于点源的污染源，有利于污染的治理与管理。而废气排放口的类型，可以依据其结构的不同进行分类。

1、废气排放口类型，可以分为：立式排放口和卧式排放口。

2、立式排放口分为风帽型和引风帽型；立式排放口适宜于多种方式的废气排放。

3、卧式排放口分为百叶动力式、叶片联动式、孔板式。卧式排放口适宜于动力方式的废气排放。

三、半导体晶粒类型有哪些？

半导体指的是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、碳化硅、氮化镓等，一般说半导体都是说半导体材料，三极管、二极管是半导体器件。

不管哪个，种类都挺多的，抽常见的说一下。

半导体材料，最基本的有三种类型：本征半导体、P型半导体、N型半导体。

本征半导体：材料完全纯净，不含杂质，晶格完整，因为内部的共价键被本征激发（部分价带中的电子越过禁带进入空带，形成能在外部电场下自由移动的电子和空穴）而导电。想要理解半导体的导电特性就必须要有这么一个电子-空穴对的概念，简单来讲，电子导电就是自由电子（带负电）的移动，空穴导电就是共价键中的电子移动到附近的空穴中，表现为空穴（带正电）在移动。

N型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的磷等五价元素的杂质（施主杂质），由于原子最外层电子数比硅等材料要多，在形成共价键之后还会多余出一个电子，这个电子的激发能量远比价态的电子要低，所以N型半导体材料导电以自由电子为主（还是存在少量空穴），这个过程中材料仍为电中性。

四、半导体工艺废气包括哪些？

酸性气体，碱性气体，有机废气，有毒气体。电子半导体行业在生产时会使用显影剂、光刻胶、清洁剂、蚀刻液等溶剂，而这些溶剂是含有大量的有机物成分。

　　工业上的有机废气处理常用的工艺有:活性炭吸附处理法、酸碱中和法、等离子法、直接燃烧法、催化燃烧法、吸收法、冷凝法等。

五、半导体水处理系统的组成？

主要是在直流电场的作用下,通过隔板的水中电介质离子发生定向移动,利用交换膜对离子的选择透过作用来对水质进行提纯的一种科学的水处理技术。

电渗析器的一对电极之间,通常由阴膜,阳膜和隔板(甲、乙)多组交替排列,构成浓室和淡室(即阳离子可透过阳膜,阴离子可透过阴膜).淡室水中阳离子向负极迁移透过阳膜,被浓室中的阴膜截留；水中阴离子向正极方向迁移阴膜,被浓室中的阳膜截留,这样通过淡室的水中离子数逐渐减少,成为淡水,而浓室的水中,由于浓室的阴阳离子不断涌进,电介质离子浓度不断升高,而成为浓水,从而达到淡化,提纯,浓缩或精制的目的。

六、可控半导体功率开关器件有哪些类型？

答:

可控半导体功率开关器件有场效应管和可控硅等类型。

半导体开关指的是固态继电器，分直流和交流两种。直流固态继电器采用的是场效应管，交流固态继电器采用的是可控硅。 由于固态继电器的工作端和控制端都是制作在同一块半导体材料上，没有达到物理隔离，所以不能兼做隔离开关。 380v三相风机的外壳应该直接就地接保护地线，而不必通过PE线。

七、水处理系统有哪些？

直饮水、污水处理、废水处理、循环水处理等

八、语言处理系统有哪些？

语言处理系统按照处理方法，语言处理系统可分为编译型解释型和混合型三类。

编译型语言处理系统是采用编译方法的语言处理系统。解释型语言处理系统是采用解释方法的语言处理系统。混合型语言处理系统是兼有编译和解释两种方法的语言处理系统。

多数高级语言都有一些不能在编译时刻确定而要到运行时刻才能确定的特性。

九、工业废气有哪些，工业废气有哪些知识？

工业废气处理指的是专门针对工业场所如工厂、车间产生的废气在对外排放前进行预处理，以达到国家废气对外排放的标准的工作。

一般工业废气处理包括了有机废气处理、粉尘废气处理、酸碱废气处理、异味废气处理和空气杀菌消毒净化等方面。工业废气处理气体具体包括 丙酮 、 丁酮 、 丁醇 、 甲醇 、 甲醛 、 苯 、 甲苯 、 二甲苯 、 苯乙烯 、甲基叔丁基醚、 乙酸乙酯、次甲基氯、 乙烷 、戍烷、 天然气 、 汽车尾气 、 硫化氢 、 二硫化氢 、 硫醇 、 氨气 和各种有机废气、酸碱废气。

工业废气处理的原理有活性炭吸附法、催化燃烧法、催化氧化法、酸碱中和法、生物洗涤、生物滴滤法、等离子法等多种原理。废气处理塔采用五重废气吸附过滤净化系统，工业废气处理设计周密、层层净化过滤废气，效果较好。现有主流的废气处理设备有喷淋塔、洗涤塔、活性炭塔、UV光氧等。

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十、半导体晶粒类型？

晶体可分为单晶和多晶，若在整块材料中，原子都是规则的、周期性的重复排列的，一种结构贯穿整体，这样的晶体称为单晶，如石英单晶、硅单晶、岩盐单晶等。多晶是由大量微小的单晶随机堆砌成的整块材料。实际的晶体绝大部分是多晶，如各种金属材料和电子陶瓷材料。由于多晶中各晶粒排列的相对取 向各不相同，其宏观性质往往表现为各向同性，外形也不具有规则性。

半导体材料硅、锗等都属金刚石结构。金刚石结构可以看成是沿体对角线相互错开四分之一对角线长度的面心立方元胞套构而成的。

晶面与晶向

晶体具有各向异性的特征，在研究晶体的物理特征时，通常必须标明是位于什么方位的面上或沿晶体的什么方向，为此引入晶面与晶向的概念。为了便于确定和区别晶体中不同方位的晶向和晶面，国际上通用密勒指数来统一标定晶向指数与晶面指数。

晶向指数

以晶胞的某一阵点O为原点，过原点O设定坐标轴X、Y、Z，以晶胞点阵矢量的长度作为坐标轴的长度单位；过原点O作一平行于待定晶向的直线，在该直线上选取距原点O最近的一个阵点，确定此点的3个坐标值；将这3个坐标值化为最小整数u，v，w，加以方括号。[u v w]即为待定晶向的晶向指数。

晶向指数代表所有相互平行、方向一致的晶向。

晶面指数

在点阵中设定参考坐标系，设置方法与确定晶向指数时相同；选出晶面族中不经过原点的晶面，确定该晶面在各坐标轴上的截距；取各截距的倒数；将三倒数化为互质的整数比，并加上圆括号，即表示该晶面的指数，记为( h k l )。

当晶面的某一截距为负数时，在相应的指数上部加“-”号。当晶面与某一坐标轴平行时，则认为晶面与该轴的截距为∞，其倒数为0。

晶面指数所代表的不仅是某一晶面，而是代表所有相互平行的晶面。

晶体中的缺陷

按在空间的几何构型可将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。

01

点缺陷

点缺陷是以晶体中空位、间隙原子、杂质原子为中心，在一个或几个晶格常数的微观区域内，晶格结构偏离严格周期性而形成的畸变区域。

02

线缺陷

晶体内部偏离周期性点阵结构的一维缺陷为线缺陷。晶体中最重要的一种线缺陷是位错。

03

面缺陷和体缺陷

对于晶体来讲，还存在面缺陷（层错）和体缺陷（包裹体）等。由于堆积次序发生错乱形成的缺陷叫做堆垛层错，简称层错。层错是一种区域性的缺陷，在层错以外的原子都是有规则排列的，它是一种面缺陷。当掺入晶体中的杂质超过晶体的固溶度时，杂质将在晶体中沉积，形成体缺陷。

晶体中的杂质

实践表明，极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响。

施主杂质

向硅中掺入磷，磷原子占据了硅原子的位置，其结果是形成一个正电中心和一个多余的价电子。这种杂质，我们称它为施主杂质或n型杂质。

受主杂质

向硅中掺入硼，硼原子占据了硅原子的位置，其结果是形成一个负电中心和一个多余的空位。这种杂质，我们称它为受主杂质或p型杂质。

现今，300mm的wafer技术已经成熟，随着直径的增大，其制造难度也相应提高。

生长单晶硅

目前制备单晶硅的主要方法有柴氏拉晶法（即CZ法）和悬浮区熔法，85%以上的单晶硅是采用CZ法生长出来的。

单晶炉

单晶炉可分为四个部分：炉体、机械传动系统、加热温控系统以及气体传送系统。 炉体包括了炉腔、籽晶轴、石英坩埚、掺杂勺、籽晶罩、观察窗几个部分。炉腔是为了保证炉内温度均匀分布以及很好的散热；籽晶轴的作用是带动籽晶上下移动和旋转；掺杂勺内放有需要掺入的杂质；籽晶罩是为了保护籽晶不受污染。

机械传动系统主要是控制籽晶和坩埚的运动。为了保证Si溶液不被氧化，对炉内的真空度要求很高，一般在5Torr以上，加入的惰性气体纯度需在99.9999%以上。